欢迎您使用中国标准在线服务网
高级搜索

标准分类

当前位置:首页 > 国家标准

【国家标准】微机电系统(MEMS)技术基于光学干涉的MEMS微结构残余应变测量方法

标号:GB/T 34900-2017 状态: 定价:31元/折扣价: 26.35元

开通会员免费在线看70000余条国内标准,赠送文本下载次数,单本最低仅合13.3元!还可享标准出版进度查询、定制跟踪推送、标准查新等超多特权!

查看详情

标准简介

本标准规定了基于光学干涉显微镜获取的微双端固支梁结构表面形貌进行残余应变测量的方法。本标准适用于表面反射率不低于4%且使用光学干涉显微镜能够获取表面形貌的微双端固支梁结构。

基本信息

标准号:GB/T 34900-2017 标准名称:微机电系统(MEMS)技术基于光学干涉的MEMS微结构残余应变测量方法 英文名称:Micro-electromechanical system technology—Measuring method for residual strain measurements of MEMS microstructures using an optical interferometer 标准状态: 发布日期:2025-05-01 实施日期:0 出版语种:中文简体 归口单位:全国微机电技术标准化技术委员会(SAC/TC 336) 提出部门:全国微机电技术标准化技术委员会(SAC/TC 336) 发布部门:中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
标准标签: GB/T34900-2017

出版信息

页数:16 字数:20 开本:大16

标准分类号

标准ICS号:31.200 中标分类号:L55

起草单位

天津大学、中机生产力促进中心、国家仪器仪表元器件质量监督检验中心、南京理工大学、中国电子科技集团公司第十三研究所

起草人

郭彤 胡晓东 李海斌 于振毅 裘安萍 程红兵 崔波 朱悦

相关标准

  • 推荐标准
  • 国家标准计划