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查看详情本标准规定了低温傅立叶变换红外光谱法测定硅单晶中代位碳、间隙氧杂质含量的方法。本标准适用于室温电阻率大于0.1Ω·cm的N型硅单晶和室温电阻率大于0.5Ω·cm的P型硅单晶中代位碳、间隙氧杂质含量的测定。本标准测定碳、氧含量的有效范围从5×1014atoms·cm-3(0.01ppma)到硅中代位碳和间隙氧的最大固溶度。
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