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查看详情本标准规定了采用红外光谱法测定硅单晶晶体中间隙氧含量的方法。本标准适用于室温电阻率大于0.1Ω·cm的N型硅单晶和室温电阻率大于0.5Ω·cm的P型硅单晶中间隙氧含量的测定。以常温红外设备测试时，氧含量（原子数）测试范围从1×1016cm－3到硅中间隙氧的最大固溶度；以低温红外设备测试时，氧含量(原子数)的测试范围从0.5×1015cm-3到硅中间隙氧的最大固溶度。
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