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【国家标准】低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法

标号:GB/T 34481-2017 状态: 定价:29元/折扣价: 24.65元

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标准简介

本标准规定了低位错密度锗单晶片的腐蚀坑密度(EPD)的测量方法。本标准适用于测试位错密度小于1000个/cm2、直径为75mm~150mm的圆形锗单晶片的位错腐蚀坑密度。

基本信息

标准号:GB/T 34481-2017 标准名称:低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法 英文名称:Test method for measuring etch pit density(EPD) in low dislocation density monocrystalline germanium slices 标准状态: 发布日期:2025-04-30 实施日期:0 出版语种:中文简体 归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2) 提出部门:全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2) 发布部门:中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
标准标签: GB/T34481-2017

出版信息

页数:8 字数:8 开本:大16

标准分类号

标准ICS号:77.040 中标分类号:H25

起草单位

云南中科鑫圆晶体材料有限公司、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、中科院半导体研究所

起草人

惠峰 普世坤 董汝昆

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