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本文件规定了利用电容瞬态深能级瞬态谱(DLTS)测试辐射诱生缺陷的方法和程序。 本文件适用于包含P-N结、肖特基结、MOS结构的半导体器件中辐射诱生深能级缺陷的测试。
工业和信息化部电子第五研究所、哈尔滨工业大学
彭超 雷志锋 何玉娟 张战刚 肖庆中 来萍 黄云 李兴冀 杨剑群 徐晓东
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