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【团体标准】辐射诱生缺陷的深能级瞬态谱测试方法

标号:T/CIE 145-2022 状态: 定价:31元/折扣价: 26.35元

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标准简介

本文件规定了利用电容瞬态深能级瞬态谱(DLTS)测试辐射诱生缺陷的方法和程序。
本文件适用于包含P-N结、肖特基结、MOS结构的半导体器件中辐射诱生深能级缺陷的测试。

基本信息

标准号:T/CIE 145-2022 标准名称:辐射诱生缺陷的深能级瞬态谱测试方法 英文名称:Measurement method of radiation induced traps by deep level transient spectroscopy 标准状态: 发布日期:2024-11-10 实施日期:0 出版语种:中文简体 归口单位:中国电子学会可靠性分会 提出部门:中国电子学会可靠性分会 发布部门:中国电子学会
标准标签: T/CIE145-2022

出版信息

页数:16 字数:31 开本:大16

标准分类号

标准ICS号:31.080.01 中标分类号:L40

起草单位

工业和信息化部电子第五研究所、哈尔滨工业大学

起草人

彭超 雷志锋 何玉娟 张战刚 肖庆中 来萍 黄云 李兴冀 杨剑群 徐晓东

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